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NTLJS4149P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
2400
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
20
1800
C iss
4
3
V DS
V GS
16
12
1200
C rss
2
Q GS
Q GD
8
600
1
4
0
C oss
0
I D = -4.5 A
T J = 25 ° C
0
10
5
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
-V GS
-V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage versus Total Charge
8
100
V DD = -24 V
I D = -2.0 A
V GS = -4.5 V
t d(off)
t f
7
6
5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
4
10
1
t d(on)
3
2
1
0
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
Variation versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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